标题：
정공주입층 및/또는 저분자 정공수송층, 고분자-저분자혼성 발광층을 갖는 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
授权日：
1900-01-01
公开(公告)号：
KR1020050011071A
申请日：
2003-07-21
公开(公告)日：
2005-01-29
当前申请(专利权)人：
삼성에스디아이 주식회사
发明人：
진병두 | 김무현 | 서민철 | 양남철 | 이성택
简单同族：
KR100579183B1 | KR1020050011071A
简单同族成员数量：
2
简单同族被引用专利总数：
2
诉讼案件数：
0
法律状态/事件：
授权 | 权利转移