标题：
수용성 고분자층 및 이온화합물층의 이중 적층 구조를포함하는 고분자 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방
授权日：
2008-04-17
公开(公告)号：
KR100824732B1
申请日：
2006-11-09
公开(公告)日：
2008-04-28
当前申请(专利权)人：
경성대학교 산학협력단
发明人：
김민숙 | 박동규 | 우형석 | 이승진
简单同族：
KR100824732B1
简单同族成员数量：
1
简单同族被引用专利总数：
6
诉讼案件数：
0
法律状态/事件：
未缴年费 | 权利转移