标题：
Method of fabricating polysilicon layer, thin film transistor, organic light emitting diode display device including the same, and method of fabricating the same
授权日：
1900-01-01
公开(公告)号：
US20110121309A1
申请日：
2010-09-24
公开(公告)日：
2011-05-26
当前申请(专利权)人：
SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.
发明人：
LEE, DONG-HYUN | LEE, KI-YONG | SEO, JIN-WOOK | YANG, TAE-HOON | CHUNG, YUN-MO | PARK, BYOUNG-KEON | LEE, KIL-WON | PARK, JONG-RYUK | CHOI, BO-KYUNG | SO, BYUNG-SOO
简单同族：
CN102082077A | CN102082077B | EP2325870A1 | JP2011109064A | JP5231497B2 | KR101049802B1 | KR1020110056084A | TW201119043A | TWI433321B | US20110121309A1 | US20150255282A1 | US9070717 | US9576797
简单同族成员数量：
13
简单同族被引用专利总数：
12
诉讼案件数：
0
法律状态/事件：
授权 | 权利转移