当前申请(专利权)人:
株式会社半導体エネルギー研究所
发明人:
瀬尾 哲史 | 川上 祥子 | 野村 洸子 | 大澤 信晴
简单同族:
CN102144313A | CN102144313B | EP2321862A1 | EP2321862A4 | EP2321862B1 | JP2010083876A | JP2010083876A5 | JP2014058527A | JP2015128166A | JP2017041647A | JP2018111709A | JP2019135768A | JP5399173B2 | JP5693692B2 | JP6306663B2 | JP6496857B2 | KR101529062B1 | KR101549878B1 | KR1020110063749A | KR1020140107700A | MY150594A | US10243151 | US20100060155A1 | US20130112961A1 | US20170250352A1 | US8343639 | US9620723 | WO2010027004A1