标题：
絶縁材料によってEL層の成膜欠陥が被覆されたEL素子とその製造方法
授权日：
1900-01-01
公开(公告)号：
JP2003017262A
申请日：
2001-07-04
公开(公告)日：
2003-01-17
当前申请(专利权)人：
大日本印刷株式会社
发明人：
新 井 浩 次 | 鶴 岡 美 秋
简单同族：
JP2003017262A
简单同族成员数量：
1
简单同族被引用专利总数：
15
诉讼案件数：
0
法律状态/事件：
撤回