当前申请(专利权)人:
株式会社半導体エネルギー研究所
发明人:
吉住 英子 | 森久保 都 | 橋本 直明 | 瀬尾 広美 | 瀬尾 哲史 | 栗原 美樹 | 原 朋香
简单同族:
JP2014045176A | JP2014045176A5 | JP2018135339A | JP2019057734A | JP2020080415A | JP6312960B2 | JP6462928B2 | JP6657370B2 | KR1020140018121A | KR1020200007999A | KR102069389B1 | US10020451 | US20140034931A1 | US20160343955A1 | US9412953