当前申请(专利权)人:
株式会社半導体エネルギー研究所
发明人:
荻田 香 | 瀬尾 哲史 | 瀬尾 広美 | 高橋 辰義
简单同族:
JP2014208621A | JP2014208621A5 | JP2018129543A | JP2019033292A | JP2019033293A | JP2019054253A | JP2019054254A | JP2019218367A | JP6333009B2 | JP6488046B2 | JP6488054B2 | JP6488055B2 | JP6537690B2 | JP6568993B2 | KR1020150135289A | KR1020180123593A | KR1020190119684A | KR102034819B1 | KR102136040B1 | TW201504219A | TW201741291A | TWI603964B | TWI620742B | US10347847 | US10446766 | US20140291643A1 | US20170256724A1 | US20190088886A1 | US20200111975A1 | US9634263 | WO2014157018A1