标题：
衝突励起型EL用蛍光体、衝突励起型EL用蛍光体薄膜の製造方法、薄膜EL素子、薄膜ELディスプレイ及び薄膜ELランプ
授权日：
2013-06-07
公开(公告)号：
JP5283166B2
申请日：
2008-08-29
公开(公告)日：
2013-09-04
当前申请(专利权)人：
学校法人金沢工業大学
发明人：
南 内嗣 | 宮田 俊弘
简单同族：
JP2009256573A | JP5283166B2
简单同族成员数量：
2
简单同族被引用专利总数：
2
诉讼案件数：
0
法律状态/事件：
授权