标题：
マトリクス表示用溝付き型薄膜エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
授权日：
1900-01-01
公开(公告)号：
JP2004296415A
申请日：
2003-03-26
公开(公告)日：
2004-10-21
当前申请(专利权)人：
南 内嗣 | 宮田 俊弘
发明人：
南 内嗣 | 宮田 俊弘
简单同族：
JP2004296415A
简单同族成员数量：
1
简单同族被引用专利总数：
1
诉讼案件数：
0
法律状态/事件：
撤回