标题：
폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 그에 의해제조된 폴리실리콘 박막 트랜지스터를 포함
授权日：
1900-01-01
公开(公告)号：
KR1020060100602A
申请日：
2005-03-17
公开(公告)日：
2006-09-21
当前申请(专利权)人：
삼성전자주식회사
发明人：
CHUNG, SE JIN
简单同族：
JP2006261681A | JP2006261681A5 | KR1020060100602A | TW200703658A | US20060211181A1
简单同族成员数量：
5
简单同族被引用专利总数：
29
诉讼案件数：
0
法律状态/事件：
驳回