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标题
授权日
公开（公告）号
申请日
公开（公告）日
当前申请（专利权）人
发明人
操作

マイクロドライバ及びマイクロLEDのためのバックプレーン構造及びプロセス
1900-01-01
JP2019507905A
2017-02-10
2019-03-22
アップルインコーポレイテッド
フー, シン-ホア | チョイ, ジェイン | ペダー, ジェームズイー. | ビタ, イオン | タン, ハイロン | スー, チンウェイ | シャラサニ, サンディープ | チェン, チー-レイ | カン, スング | 小野晋也 | ヒュアン, ジャンエン | サイ, ルン
注释

マイクロドライバ及びマイクロLEDのためのバックプレーン構造及びプロセス
1900-01-01
JP2020052404A
2019-11-22
2020-04-02
アップルインコーポレイテッド
フー, シン-ホア | チョイ, ジェイン | ペダー, ジェームズイー. | ビタ, イオン | タン, ハイロン | スー, チンウェイ | シャラサニ, サンディープ | チェン, チー-レイ | カン, スング | 小野晋也 | ヒュアン, ジャンエン | サイ, ルン
注释

マイクロドライバ及びマイクロLEDのためのバックプレーン構造及びプロセス
2019-11-29
JP6622923B2
2017-02-10
2019-12-18
アップルインコーポレイテッド
フー, シン-ホア | チョイ, ジェイン | ペダー, ジェームズイー. | ビタ, イオン | タン, ハイロン | スー, チンウェイ | シャラサニ, サンディープ | チェン, チー-レイ | カン, スング | 小野晋也 | ヒュアン, ジャンエン | サイ, ルン
注释

Micro-light emitting diode (LED) fabrication by layer transfer
1900-01-01
EP3539153A2
2017-11-10
2019-09-18
QMAT, INC.
HENLEY, FRANCOIS J.
注释

층 이송에 의한 마이크로 발광 다이오드의 제조
1900-01-01
KR1020190082885A
2017-11-10
2019-07-10
큐맷, 인코포레이티드
헨리 프란시스 제이.
注释

層転写によるマイクロ発光ダイオード(LED)製造
1900-01-01
JP2020513681A
2017-11-10
2020-05-14
キューエムエイティ·インコーポレーテッド
ヘンリー,フランソワ·ジェイ
注释

Micro-light emitting diode (LED) fabrication by layer transfer
1900-01-01
US20180138357A1
2017-11-10
2018-05-17
QMAT, INC.
HENLEY, FRANCOIS J.
注释

通过层转移制造微发光二极管(LED)
1900-01-01
CN110100306A
2017-11-10
2019-08-06
QMAT股份有限公司
弗兰乔斯·J·亨利
注释

微发光二极管显示面板及其修复方法
1900-01-01
CN106684098A
2017-01-06
2017-05-17
深圳市华星光电技术有限公司
韩佰祥
注释