基于CdSe纳晶复合物的电化学发光免疫传感器及其制法和用途

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基于CdSe纳晶复合物的电化学发光免疫传感器及其制法和用途
授权日

2012-05-30
公开（公告）号

CN101251535B
申请日

2008-03-25
公开（公告）日

2012-05-30
当前申请（专利权）人

南京大学
发明人

朱俊杰 | 接贵芬
简单同族

CN101251535A | CN101251535B
简单同族成员数量

2
简单同族被引用专利总数

10
诉讼案件数

0
法律状态/事件

未缴年费