미세가공 정전용량형 초음파 트랜스듀서, 프로브 및 그 제조방법

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미세가공 정전용량형 초음파 트랜스듀서, 프로브 및 그 제조방법
授权日

1900-01-01
公开（公告）号

KR1020180030777A
申请日

2015-07-15
公开（公告）日

2018-03-26
当前申请（专利权）人

삼성전자주식회사
发明人

김영일 | 조경일 | 김배형 | 송종근 | 이은성 | 최민석
简单同族

KR1020180030777A | US20180214126A1 | WO2017010590A1
简单同族成员数量

3
简单同族被引用专利总数

0
诉讼案件数

0
法律状态/事件

公开