基于洛仑兹力力学效应的磁声电阻抗成像系统及成像方法

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基于洛仑兹力力学效应的磁声电阻抗成像系统及成像方法
授权日

2014-03-26
公开（公告）号

CN102860825B
申请日

2012-10-16
公开（公告）日

2014-03-26
当前申请（专利权）人

中国科学院电工研究所
发明人

刘国强 | 夏慧 | 李士强 | 张洋 | 李艳红 | 夏正武 | 陈晶 | 黄欣
简单同族

CN102860825A | CN102860825B
简单同族成员数量

2
简单同族被引用专利总数

17
诉讼案件数

0
法律状态/事件

授权