反应溅射氧化铱修饰的微电极阵列及其制备方法

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反应溅射氧化铱修饰的微电极阵列及其制备方法
授权日

2015-07-08
公开（公告）号

CN103301566B
申请日

2013-05-21
公开（公告）日

2015-07-08
当前申请（专利权）人

上海交通大学
发明人

刘景全 | 康晓洋 | 田鸿昌 | 杨斌 | 朱红英 | 杨春生
简单同族

CN103301566A | CN103301566B
简单同族成员数量

2
简单同族被引用专利总数

1
诉讼案件数

0
法律状态/事件

授权