微发光二极管阵列的转印方法

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微发光二极管阵列的转印方法
授权日

1900-01-01
公开（公告）号

CN106058010A
申请日

2016-07-26
公开（公告）日

2016-10-26
当前申请（专利权）人

深圳市华星光电技术有限公司
发明人

陈黎暄
简单同族

CN106058010A | CN106058010B
简单同族成员数量

2
简单同族被引用专利总数

24
诉讼案件数

0
法律状态/事件

授权