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유기 트랜지스터, 화합물, 비발광성 유기 반도체 디바이스용 유기 반도체 재료, 유기 트랜지스터용 재료, 비발광성 유기 반도체 디바이스용 도포액, 유기 트랜지스터의 제조 방법, 유기 반도체막의 제조 방법, 비발광성 유기 반도체 디바이스용 유기 반도체막, 유기 반도체 재료의 합성 방법
授权日
2018-08-01
公开(公告)号
KR101886547B1
申请日
2015-03-26
公开(公告)日
2018-08-07
当前申请(专利权)人
후지필름 가부시키가이샤 | 고쿠리츠다이가쿠호우진 도쿄다이가쿠
发明人
츠야마히로아키 | 노무라기미아츠 | 우사미요시히사 | 후쿠자키에이지 | 고야나기마사시 | 기타무라데츠 | 와타나베데츠야 | 오카모토도시히로 | 다케야준이치
简单同族
CN106104833A | CN106104833B | EP3125322A1 | EP3125322A4 | EP3125322B1 | JP2015195362A | JP6082927B2 | KR101886547B1 | KR1020160126040A | TW201542566A | TWI692480B | US10270043 | US20170018724A1 | WO2015147129A1
简单同族成员数量
14
简单同族被引用专利总数
23
诉讼案件数
0
法律状态/事件
授权
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