제어된 발광층 구조를 이용하는 고분자 전계 인광 소자

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제어된 발광층 구조를 이용하는 고분자 전계 인광 소자
授权日

1900-01-01
公开（公告）号

KR1020060108843A
申请日

2005-04-14
公开（公告）日

2006-10-18
当前申请（专利权）人

한국과학기술연구원
发明人

김재경 | 박오옥 | 김태호 | 장범진 | 유재웅 | 진병두 | 이수형
简单同族

KR100757780B1 | KR1020060108843A
简单同族成员数量

2
简单同族被引用专利总数

0
诉讼案件数

0
法律状态/事件

未缴年费 | 权利转移