标题

Method of fabricating polycrystalline silicon layer, TFT fabricated using the same, method of fabricating TFT, and organic light emitting diode display device having the same

授权日

1900-01-01

公开（公告）号

US20080296565A1

申请日

2008-05-30

公开（公告）日

2008-12-04

当前申请（专利权）人

SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

发明人

PARK, BYOUNG-KEON | SEO, JIN-WOOK | YANG, TAE-HOON | LEE, KIL-WON | LEE, KI-YONG

简单同族

CN101315883A | CN101315883B | EP2009680A1 | EP2009680B1 | JP2008300831A | JP5090253B2 | KR100875432B1 | KR1020080105563A | TW200905751A | TWI381451B | US20080296565A1 | US20120220084A1 | US8790967

简单同族成员数量

13

简单同族被引用专利总数

76

诉讼案件数

0

法律状态/事件

撤回 | 权利转移