電界発光素子用材料、及びそれを用いた電界発光素子

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電界発光素子用材料、及びそれを用いた電界発光素子
授权日

2012-09-07
公开（公告）号

JP5078487B2
申请日

2007-07-27
公开（公告）日

2012-11-21
当前申请（专利权）人

株式会社半導体エネルギー研究所
发明人

瀬尾哲史 | 安部寛子
简单同族

JP2008004950A | JP5078487B2
简单同族成员数量

2
简单同族被引用专利总数

0
诉讼案件数

0
法律状态/事件

授权